Фото для справки Только свяжитесь с нами для получения дополнительных изображений
GT50J121(Q)
| EXSHINE Тип продуктов: | EX-GT50J121(Q) |
|---|---|
| производитель Тип продуктов: | GT50J121(Q) |
| производитель / марка: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Краткое описание: | IGBT 600V 50A 240W TO3P LH |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Состояние: | New and unused, Original |
| Скачать Datasheet: | GT50J121 |
| заявка: | - |
| Вес: | - |
| Альтернативная замена: | - |
В наличии: 27828 шт. можно отправить в течение 1-2 дней.
Будущий запас: 12000 шт. За 7-10 дней.
Время выполнения изготовления: 8-10 недель
- Описание
- Оплата
- Перевозка
- упаковка
Параметры продукта
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 600V |
|---|---|
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
| режим для испытаний | 300V, 50A, 13 Ohm, 15V |
| Td (вкл / выкл) при 25 ° C | 90ns/300ns |
| Переключение энергии | 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-3P(LH) |
| Серии | - |
| Мощность - Макс | 240W |
| упаковка | Tube |
| Упаковка / | TO-3PL |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя | GT50J121(Q) |
| Тип ввода | Standard |
| Тип IGBT | - |
| Расширенное описание | IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH) |
| Описание | IGBT 600V 50A 240W TO3P LH |
| Ток - Коллектор Импульсные (ICM) | 100A |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 50A |
другие
| Стандартный пакет | 100 |
|---|
|
|
T / T (банковский перевод) Получение: 1-4 дня. |
|
|
Paypal Получение: немедленно. |
|
|
Вестерн Юнион Прием: 1-2 часа. |
|
|
MoneyGram Прием: 1-2 часа. |
|
|
Alipay Получение: немедленно. |
 |
DHL EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня. |
 |
FEDEX EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня. |
 |
UPS EXPRESS Срок доставки: 2-4 дня. |
 |
ТНТ ЭКСПРЕСС Срок доставки: 3-6 дней. |
 |
EMS EXPRESS Срок доставки: 7-10 дней. |
Похожий продукт
-
КартинаНомер заказа Mfg.ПроизводителиКраткое описаниеТехническая спецификацияВ наличииЦена товараЗаказать онлайн -
GT50J301(Q)TOSHIBANew Stocks GT50J301(Q) TOSHIBA SMD or Through HoleПосмотретьзапрос -
GT50J301 +TOSLow Price GT50J301 + TOS TO264Посмотретьзапрос -
GT50G327TOSHIBAGT50G327 TOSHIBA TO-3PL New in stockПосмотретьзапрос -
GT50F321TOSHIBAGT50F321 TOSHIBA TO-3P new date code and low priceПосмотретьзапрос -
GT50J101TOSHIBAGT50J101 SMD or Through Hole Original Package StockПосмотретьзапрос -
GT50G101TOSGT50G101 TOS TO-3P New in stockПосмотретьзапрос -
GT50G102TOSHIBAGT50G102 TOSHIBA TO-3P New in stockПосмотретьзапрос -
GT50G321TOSHIBATOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT ICПосмотретьзапрос -
GT50J121_06TOSHIBASilicon N Channel IGBT High Power Switching Applications ICПосмотретьзапрос -
GT50J301TOSHIBAN CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) ICПосмотретьзапрос -
GT50J321TOSHIBAGT50J321 TOSHIBA TO-220 new date code and low priceПосмотретьзапрос -
GT50J301QTOSNew Stocks GT50J301Q TOS TO3PПосмотретьзапрос -
GT50J121TOSHIBASilicon N Channel IGBT High Power Switching Applications ICПосмотретьзапрос -
GT50J102(Q)TOSHIBANew Stocks GT50J102(Q) TOSHIBA NAПосмотретьзапрос -
GT50J322TOSHIBAN CHANNEL MOS TYPE (THE 4TH CENERATION CURRENT RESONACE INVERTER SWITHCING APPLICATIONS) ICПосмотретьзапрос -
GT50J102TOSHIBAN CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) ICПосмотретьзапрос -
GT50J122TOSHIBACurrent Resonance Inverter Switching Application ICПосмотретьзапрос -
GT5040SINYORKNew Stocks GT5040 SINYORK SMD or Through HoleПосмотретьзапрос -
GT50J303ORIGINALLow Price GT50J303 ORIGINAL TO-3PLПосмотретьзапрос -
GT50J322 50J322TOSHIBALow Price GT50J322 50J322 TOSHIBA TO-264Посмотретьзапрос
Дистрибьютор Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. создает высокопроизводительные аналоговые интегральные схемы (ИС), которые решают важнейшие проблемы для компаний электроники. Наши проприетарные продукты предлагают уникальное сочетание функций и производительности, которые невозможно найти нигде в аналоговом рынке. Наши продукты второго поколения совместимы с pin-совместимостью и спецификациями, идентичными конкурирующим предложениям, что является идеальной альтернативой для труднодоступных продуктов, изготовленных из подошвы. Основанная в 2010 году, компания Touchstone со штаб-квартирой в Милпитасе, Калифорния. Ее инвесторами являются Opus Capital и Khosla Ventures.
Наша миссия в Touchstone Semiconductor заключается в разработке классных высокопроизводительных аналоговых микросхем, которые помогут вам решить проблемы ваших клиентов. Мы делаем это, разрабатывая сверхмощные высокопроизводительные аналоговые ИС, которые уменьшают потребление энергии в ваших продуктах.