Фото для справки Только свяжитесь с нами для получения дополнительных изображений
DF3A6.2FUTE85LF
| EXSHINE Тип продуктов: | EX-DF3A6.2FUTE85LF |
|---|---|
| производитель Тип продуктов: | DF3A6.2FUTE85LF |
| производитель / марка: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Краткое описание: | TVS DIODE 3VWM USM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Состояние: | 1 |
| Скачать Datasheet: | DF3A6.2FU |
| заявка: | - |
| Вес: | - |
| Альтернативная замена: | - |
В наличии: 56745000 шт. можно отправить в течение 1-2 дней.
Будущий запас: 12000 шт. За 7-10 дней.
Время выполнения изготовления: 8-10 недель
- Описание
- Оплата
- Перевозка
- упаковка
Параметры продукта
| Напряжение - Обратный STANDOFF (типовое) | 3V |
|---|---|
| Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp | - |
| Напряжение - пробой (мин.) | 5.8V |
| Однонаправленные каналы | 2 |
| Тип | Zener |
| Поставщик Упаковка устройства | USM |
| Серии | - |
| Защита линий электропередач | No |
| Мощность - пиковый импульс | - |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | SC-70, SOT-323 |
| Другие названия | DF3A6.2FU(TE85L,F) DF3A6.2FUTE85LFTR |
| Рабочая Температура | - |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 16 Weeks |
| Номер детали производителя | DF3A6.2FUTE85LF |
| Описание | TVS DIODE 3VWM USM |
| Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs) | - |
| Емкость @ Частота | 55pF @ 1MHz |
| Приложения | General Purpose |
другие
| Стандартный пакет | 3,000 |
|---|---|
| Другие названия | DF3A6.2FU(TE85L,F) DF3A6.2FUTE85LFTR |
|
|
T / T (банковский перевод) Получение: 1-4 дня. |
|
|
Paypal Получение: немедленно. |
|
|
Вестерн Юнион Прием: 1-2 часа. |
|
|
MoneyGram Прием: 1-2 часа. |
|
|
Alipay Получение: немедленно. |
 |
DHL EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня. |
 |
FEDEX EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня. |
 |
UPS EXPRESS Срок доставки: 2-4 дня. |
 |
ТНТ ЭКСПРЕСС Срок доставки: 3-6 дней. |
 |
EMS EXPRESS Срок доставки: 7-10 дней. |
Похожий продукт
-
КартинаНомер заказа Mfg.ПроизводителиКраткое описаниеТехническая спецификацияВ наличииЦена товараЗаказать онлайн -
DF3A6.8ToshibaDF3A6.8 Toshiba NA New in stockПосмотретьзапрос -
DF3A6.2LFETOSHIBAProduct for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD). ICПосмотретьзапрос -
DF3A6.2FUTOSHIBAProduct for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD). ICПосмотретьзапрос -
DF3A6.2FU(TE85LTOSHIBADF3A6.2FU(TE85L TOSHIBA SMD or Through Hole New in stockПосмотретьзапрос -
DF3A6.2CTTOSHIBADF3A6.2CT TOSHIBA SOD723 New in stockПосмотретьзапрос -
DF3A6.2F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageTVS DIODE 3VWM SMINIСкачатьПосмотретьUS$ 0.034запрос -
DF3A6.2FTOSHIBADF3A6.2F TOSHIBA SOT-23 New in stockПосмотретьзапрос -
DF3A6.8CTTOSHIBADF3A6.8CT SMD or Through Hole Original Package StockПосмотретьзапрос -
DF3A6.2FETOSHIBAProduct for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD). ICПосмотретьзапрос -
DF3A6.2F(TE85LF)TOSHIBADF3A6.2F(TE85LF) TOSHIBA SOT323 New in stockПосмотретьзапрос -
DF3A6.2FU(T5L,F,T)TOSHIBADF3A6.2FU(T5L,F,T) TOSHIBA USM New in stockПосмотретьзапрос -
DF3A6.2FU(TE85L,F)TOSHIBADF3A6.2FU(TE85L,F) TOSHIBA NA New in stockПосмотретьзапрос -
DF3A6.8AFETOSHIBADF3A6.8AFE TOSHIBA SOT-490 New in stockПосмотретьзапрос -
DF3A6.2LFUTOSHIBADF3A6.2LFU SMD or Through Hole Original Package StockПосмотретьзапрос -
DF3A6.2CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageTVS DIODE 3VWM CST3СкачатьПосмотретьUS$ 0.038запрос -
DF3A6.2FVTOSHIBAProduct for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD). ICПосмотретьзапрос -
DF3A6.8CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageTVS DIODE 5VWM CST3СкачатьПосмотретьзапрос -
DF3A6.2LFVTOSHIBAProduct for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD). ICПосмотретьзапрос -
DF3A6.2LFTOSHIBADF3A6.2LF TOSHIBA SMD or Through Hole New in stockПосмотретьзапрос -
DF3A6.2LFU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageTVS DIODE 5VWM USMСкачатьПосмотретьUS$ 0.076запрос
Дистрибьютор Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. создает высокопроизводительные аналоговые интегральные схемы (ИС), которые решают важнейшие проблемы для компаний электроники. Наши проприетарные продукты предлагают уникальное сочетание функций и производительности, которые невозможно найти нигде в аналоговом рынке. Наши продукты второго поколения совместимы с pin-совместимостью и спецификациями, идентичными конкурирующим предложениям, что является идеальной альтернативой для труднодоступных продуктов, изготовленных из подошвы. Основанная в 2010 году, компания Touchstone со штаб-квартирой в Милпитасе, Калифорния. Ее инвесторами являются Opus Capital и Khosla Ventures.
Наша миссия в Touchstone Semiconductor заключается в разработке классных высокопроизводительных аналоговых микросхем, которые помогут вам решить проблемы ваших клиентов. Мы делаем это, разрабатывая сверхмощные высокопроизводительные аналоговые ИС, которые уменьшают потребление энергии в ваших продуктах.