Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > RJK6026DPE-00#J3
Фото для справки Только свяжитесь с нами для получения дополнительных изображений
RJK6026DPE-00#J3
| EXSHINE Тип продуктов: | EX-RJK6026DPE-00#J3 |
|---|---|
| производитель Тип продуктов: | RJK6026DPE-00#J3 |
| производитель / марка: | Renesas Electronics America |
| Краткое описание: | MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Состояние: | 1 |
| Скачать Datasheet: | RJK6026DPE-00#J3 |
| заявка: | - |
| Вес: | - |
| Альтернативная замена: | - |
Доступность в реальном времени для
RJK6026DPE-00#J3
В наличии: 65945000 шт. можно отправить в течение 1-2 дней.
Будущий запас: 12000 шт. За 7-10 дней.
Время выполнения изготовления: 8-10 недель
В наличии: 65945000 шт. можно отправить в течение 1-2 дней.
Будущий запас: 12000 шт. За 7-10 дней.
Время выполнения изготовления: 8-10 недель
- Описание
- Оплата
- Перевозка
- упаковка
Параметры продукта
| Vgs (й) (Max) @ Id | - |
|---|---|
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 4-LDPAK |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 62.5W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | SC-83 |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 16 Weeks |
| Номер детали производителя | RJK6026DPE-00#J3 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Расширенное описание | N-Channel 600V 5A (Ta) 62.5W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600V |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5A (Ta) |
другие
| Стандартный пакет | 1,000 |
|---|
Вы можете выбрать ниже варианты оплаты. Пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж, если у вас есть какие-либо вопросы.
|
|
T / T (банковский перевод) Получение: 1-4 дня. |
|
|
Paypal Получение: немедленно. |
|
|
Вестерн Юнион Прием: 1-2 часа. |
|
|
MoneyGram Прием: 1-2 часа. |
|
|
Alipay Получение: немедленно. |
Вы можете выбрать ниже варианты доставки, свяжитесь с нашим отделом продаж, чтобы проверить стоимость доставки на ваш адрес.
Если вы не хотите пользоваться нашей службой доставки, вы можете также забрать товар с нашего склада или отправить на свой счет курьера.
 |
DHL EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня. |
 |
FEDEX EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня. |
 |
UPS EXPRESS Срок доставки: 2-4 дня. |
 |
ТНТ ЭКСПРЕСС Срок доставки: 3-6 дней. |
 |
EMS EXPRESS Срок доставки: 7-10 дней. |
Похожий продукт
-
КартинаНомер заказа Mfg.ПроизводителиКраткое описаниеТехническая спецификацияВ наличииЦена товараЗаказать онлайн -
RJK6026DPP-00-T2RENESASSilicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching ICПосмотретьзапрос -
RJK6052DPP-M0RENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICПосмотретьзапрос -
RJK6026RENESASLow Price RJK6026 RENESAS TO-262Посмотретьзапрос -
RJK6024DPD-00-J2RENESASLow Price RJK6024DPD-00-J2 RENESAS MP-3A 252Посмотретьзапрос -
RJK6025DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaMOSFET N-CH 600V 1A MP3AСкачатьПосмотретьUS$ 0.467запрос -
RJK6035DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaMOSFET N-CH 600V 6A TO220СкачатьПосмотретьUS$ 2.58запрос -
RJK6022DJE-00Z0RENESASLow Price RJK6022DJE-00Z0 RENESAS SMD or Through HoleПосмотретьзапрос -
RJK6026DPPRENESASSilicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching ICПосмотретьзапрос -
RJK6026DPERENESASLow Price RJK6026DPE RENESAS TO-263Посмотретьзапрос -
RJK6022DJE-00-Z0RENESASSilicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching ICПосмотретьзапрос -
RJK6025DPE-00-J3RENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICПосмотретьзапрос -
RJK6053DPP-M0RENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICПосмотретьзапрос -
RJK6054DPP-M0RENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICПосмотретьзапрос -
RJK6026DPE_09RENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICПосмотретьзапрос -
RJK6024DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaMOSFET N-CH 600V 0.4A MP3AСкачатьПосмотретьUS$ 0.432запрос -
RJK6024DPH-E0#T2Renesas Electronics AmericaMOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAKПосмотретьUS$ 1.19запрос -
RJK6032DPH-E0#T2Renesas Electronics AmericaMOSFET N-CH 600V 3A TO251СкачатьПосмотретьUS$ 1.28запрос -
RJK6025DPERENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICПосмотретьзапрос -
RJK6026DPE-00-J3ORIGINALLow Price RJK6026DPE-00-J3 ORIGINAL TO263Посмотретьзапрос -
RJK6032DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaMOSFET N-CH 600V 3A MP3AСкачатьПосмотретьUS$ 0.529запрос
Дистрибьютор Renesas Electronics America
- RF Digital производит обширную линейку настраиваемых беспроводных передатчиков RF, приемников и трансиверов, подходящих практически для любого типа приложений. Модули полностью интегрированы, имеют высокое качество и низкую стоимость, что выгодно для любого приложения. Линейка продуктов RFDuino предлагает расширенную линейку модулей, включая сенсор, USB, прото-экраны и другие, для тестирования технологии Bluetooth Low Energy в среде прототипа plug and play.
Поиск по ключевому слову
- Renesas Electronics America RJK6026DPE-00#J3
- RJK6026DPE-00#J3 лист данных
- RJK6026DPE-00#J3 данные
- RJK6026DPE-00#J3 PDF-файл
- RJK6026DPE-00#J3 Цена
- RJK6026DPE-00#J3 изображение
- Купить RJK6026DPE-00#J3
- Renesas Electronics America RJK6026DPE-00#J3
- Renesas Technology Corp RJK6026DPE-00#J3
- Renesas RJK6026DPE-00#J3
- RJK6026DPE
- RJK60