Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Диоды - выпрямители - сингл > GAP3SLT33-220FP
Фото для справки Только свяжитесь с нами для получения дополнительных изображений
GAP3SLT33-220FP
| EXSHINE Тип продуктов: | EX-GAP3SLT33-220FP |
|---|---|
| производитель Тип продуктов: | GAP3SLT33-220FP |
| производитель / марка: | GeneSiC Semiconductor |
| Краткое описание: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Состояние: | New and unused, Original |
| Скачать Datasheet: | GAP3SLT33-220FP Datasheet |
| заявка: | - |
| Вес: | - |
| Альтернативная замена: | - |
Доступность в реальном времени для
GAP3SLT33-220FP
В наличии: 75210 шт. можно отправить в течение 1-2 дней.
Будущий запас: 12000 шт. За 7-10 дней.
Время выполнения изготовления: 8-10 недель
В наличии: 75210 шт. можно отправить в течение 1-2 дней.
Будущий запас: 12000 шт. За 7-10 дней.
Время выполнения изготовления: 8-10 недель
- Описание
- Оплата
- Перевозка
- упаковка
Параметры продукта
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7V @ 300mA |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 3300V (3.3kV) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220FP |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 0ns |
| упаковка | Tube |
| Упаковка / | TO-220-2 Full Pack |
| Другие названия | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 18 Weeks |
| Номер детали производителя | GAP3SLT33-220FP |
| Расширенное описание | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA Through Hole TO-220FP |
| Диод Тип | Silicon Carbide Schottky |
| Описание | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5µA @ 3300V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 300mA |
| Емкостной @ В.Р., F | 42pF @ 1V, 1MHz |
другие
| Другие названия | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
|---|---|
| Стандартный пакет | 500 |
Вы можете выбрать ниже варианты оплаты. Пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж, если у вас есть какие-либо вопросы.
|
|
T / T (банковский перевод) Получение: 1-4 дня. |
|
|
Paypal Получение: немедленно. |
|
|
Вестерн Юнион Прием: 1-2 часа. |
|
|
MoneyGram Прием: 1-2 часа. |
|
|
Alipay Получение: немедленно. |
Вы можете выбрать ниже варианты доставки, свяжитесь с нашим отделом продаж, чтобы проверить стоимость доставки на ваш адрес.
Если вы не хотите пользоваться нашей службой доставки, вы можете также забрать товар с нашего склада или отправить на свой счет курьера.
 |
DHL EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня. |
 |
FEDEX EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня. |
 |
UPS EXPRESS Срок доставки: 2-4 дня. |
 |
ТНТ ЭКСПРЕСС Срок доставки: 3-6 дней. |
 |
EMS EXPRESS Срок доставки: 7-10 дней. |
Похожий продукт
-
КартинаНомер заказа Mfg.ПроизводителиКраткое описаниеТехническая спецификацияВ наличииЦена товараЗаказать онлайн -
GAPM2054NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsПосмотретьзапрос -
GAP200VORIGINALNew Stocks GAP200V ORIGINAL SMD or Through HoleПосмотретьзапрос -
GAP34MDS4T0000POSIGAP34MDS4T0000 POSI SMD or Through Hole new date code and low priceПосмотретьзапрос -
GAP3010TOSHIBAGAP3010 SMD or Through Hole Original Package StockПосмотретьзапрос -
GAPM2095PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsПосмотретьзапрос -
GAPM2070PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsПосмотретьзапрос -
GAP05SLT80-220GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIALСкачатьПосмотретьUS$ 295.486запрос -
GAPM2004NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsПосмотретьзапрос -
GAP201G-PLUSNew Stocks GAP201 G-PLUS QFNПосмотретьзапрос -
GAPM2012NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsПосмотретьзапрос -
GAP529N/YGAP529 N/Y SIP3 new date code and low priceПосмотретьзапрос -
GAP07N70EXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsПосмотретьзапрос -
GAP3SLT33-214GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214СкачатьПосмотретьUS$ 12.448запрос -
GAP123ORIGINALGAP123 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceПосмотретьзапрос -
GAPM2014NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsПосмотретьзапрос -
GAP100ORIGINALGAP100 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceПосмотретьзапрос -
GAPM2030NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsПосмотретьзапрос -
GAP21ORIGINALLow Price GAP21 ORIGINAL SMD or Through HoleПосмотретьзапрос -
GAPM2007NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsПосмотретьзапрос -
GAPM2055NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsПосмотретьзапрос
Дистрибьютор GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), основанная в 2007 году, является интегрированной компанией по разработке и производству, посвященной продуктам на основе технологий карбида кремния (SiC). Эти продукты будут основополагающими для силовой электроники и энергетической промышленности в последующие годы, когда необходимы передовые технологии для недорогой, высокоэффективной энергетики, преобразования и передачи.