Фото для справки Только свяжитесь с нами для получения дополнительных изображений
EXSHINE Тип продуктов: | EX-EADLBA10RA1 |
---|---|
производитель Тип продуктов: | EADLBA10RA1 |
производитель / марка: | Everlight Electronics |
Краткое описание: | BAR GRAPH 10-SEGMENT RED |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Без свинца / Соответствует RoHS |
Состояние: | New and unused, Original |
Скачать Datasheet: | EADLBA10RA1 |
заявка: | - |
Вес: | - |
Альтернативная замена: | - |
Длина волны - Пик | 650nm |
---|---|
Уровень напряжения | 2V |
Угол обзора | - |
Серии | - |
Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
милликанделлах Рейтинг | 8.9mcd |
Стандартное время изготовления | 8 Weeks |
Номер детали производителя | EADLBA10RA1 |
Тип объектива | Diffused, White |
Объектив Стиль / Размер | Rectangle with Flat Top, 5.00mm x 1.70mm |
Расширенное описание | LED Circuit Board Indicator Bar - 10 Wide, DIP Red (x 10) Diffused, White 2V 60mA Rectangle with Flat Top, 5.00mm x 1.70mm |
Описание | BAR GRAPH 10-SEGMENT RED |
Текущий | 60mA |
конфигурация | Bar - 10 Wide, DIP |
цвет | Red (x 10) |
Стандартный пакет | 19 |
---|
|
T / T (банковский перевод) Получение: 1-4 дня. |
|
Paypal Получение: немедленно. |
|
Вестерн Юнион Прием: 1-2 часа. |
|
MoneyGram Прием: 1-2 часа. |
|
Alipay Получение: немедленно. |
DHL EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня. |
|
FEDEX EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня. |
|
UPS EXPRESS Срок доставки: 2-4 дня. |
|
ТНТ ЭКСПРЕСС Срок доставки: 3-6 дней. |
|
EMS EXPRESS Срок доставки: 7-10 дней. |
- EverSpin Technologies является ведущим разработчиком и производителем магнитной памяти (MRAM), предлагая автономные и встроенные продукты MRAM. MRAM от Everspin - это самая быстрая энергонезависимая память в отрасли и обеспечивает неограниченную выносливость, непревзойденную надежность, 10-летнее сохранение данных и параллельные и последовательные интерфейсы. Являясь первым в мире поставщиком MRAM, компания Everspin создала портфель интеллектуальной собственности MRAM из более чем 600 активных патентов и приложений, многие из которых являются фундаментальными и важными для технологий MRAM.