HN3C51F-GR(TE85L,F

Корзина

Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > HN3C51F-GR(TE85L,F

Фото для справки Только свяжитесь с нами для получения дополнительных изображений

EXSHINE Тип продуктов:	EX-HN3C51F-GR(TE85L,F
производитель Тип продуктов:	HN3C51F-GR(TE85L,F
производитель / марка:	Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание:	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:	Без свинца / Соответствует RoHS
Состояние:	New and unused, Original
Скачать Datasheet:	HN3C51F
заявка:	-
Вес:	-
Альтернативная замена:	-

Доступность в реальном времени для

HN3C51F-GR(TE85L,F
В наличии: 72164 шт. можно отправить в течение 1-2 дней.
Будущий запас: 12000 шт. За 7-10 дней.
Время выполнения изготовления: 8-10 недель

Описание
Оплата
Перевозка
упаковка

Параметры продукта

Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	120V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Тип транзистор	2 NPN (Dual)
Поставщик Упаковка устройства	SM6
Серии	-
Мощность - Макс	300mW
упаковка	Tape & Reel (TR)
Упаковка /	SC-74, SOT-457
Другие названия	HN3C51F-GR(TE85L,F) HN3C51F-GR(TE85LF)TR HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND HN3C51F-GR(TE85LFTR HN3C51F-GRTE85LF HN3C51FGR(TE85LFTR HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Уровень влажности (MSL)	1 (Unlimited)
Номер детали производителя	HN3C51F-GR(TE85L,F
Частота - Переход	100MHz
Расширенное описание	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Описание	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100mA

другие

Другие названия	HN3C51F-GR(TE85L,F) HN3C51F-GR(TE85LF)TR HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND HN3C51F-GR(TE85LFTR HN3C51F-GRTE85LF HN3C51FGR(TE85LFTR HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
Стандартный пакет	3,000

Вы можете выбрать ниже варианты оплаты. Пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж, если у вас есть какие-либо вопросы.

	T / T (банковский перевод) Получение: 1-4 дня.
	Paypal Получение: немедленно.
	Вестерн Юнион Прием: 1-2 часа.
	MoneyGram Прием: 1-2 часа.
	Alipay Получение: немедленно.

Вы можете выбрать ниже варианты доставки, свяжитесь с нашим отделом продаж, чтобы проверить стоимость доставки на ваш адрес.

Если вы не хотите пользоваться нашей службой доставки, вы можете также забрать товар с нашего склада или отправить на свой счет курьера.

	DHL EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня.
	FEDEX EXPRESS Срок доставки: 1-3 дня.
	UPS EXPRESS Срок доставки: 2-4 дня.
	ТНТ ЭКСПРЕСС Срок доставки: 3-6 дней.
	EMS EXPRESS Срок доставки: 7-10 дней.

Дистрибьютор Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. создает высокопроизводительные аналоговые интегральные схемы (ИС), которые решают важнейшие проблемы для компаний электроники. Наши проприетарные продукты предлагают уникальное сочетание функций и производительности, которые невозможно найти нигде в аналоговом рынке. Наши продукты второго поколения совместимы с pin-совместимостью и спецификациями, идентичными конкурирующим предложениям, что является идеальной альтернативой для труднодоступных продуктов, изготовленных из подошвы. Основанная в 2010 году, компания Touchstone со штаб-квартирой в Милпитасе, Калифорния. Ее инвесторами являются Opus Capital и Khosla Ventures.
Наша миссия в Touchstone Semiconductor заключается в разработке классных высокопроизводительных аналоговых микросхем, которые помогут вам решить проблемы ваших клиентов. Мы делаем это, разрабатывая сверхмощные высокопроизводительные аналоговые ИС, которые уменьшают потребление энергии в ваших продуктах.

Поиск по ключевому слову

Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F
HN3C51F-GR(TE85L,F лист данных
HN3C51F-GR(TE85L,F данные
HN3C51F-GR(TE85L,F PDF-файл
HN3C51F-GR(TE85L,F Цена
HN3C51F-GR(TE85L,F изображение
Купить HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba HN3C51F-GR(TE85L,F
HN3C51F
HN3C5